řada: TN0606 MOSFET TN0606N3-G Typ N-kanálový 3 A 60 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 264-8910
- Výrobní číslo:
- TN0606N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
229,71 Kč
(bez DPH)
277,95 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 640 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 22,971 Kč | 229,71 Kč |
| 50 - 90 | 19,39 Kč | 193,90 Kč |
| 100 - 240 | 17,389 Kč | 173,89 Kč |
| 250 - 490 | 17,068 Kč | 170,68 Kč |
| 500 + | 16,722 Kč | 167,22 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-8910
- Výrobní číslo:
- TN0606N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | TN0606 | |
| Typ balení | TO-92 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada TN0606 | ||
Typ balení TO-92 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový tranzistor MOSFET Microchip s nízkou prahovou hodnotou (normálně vypnutý) využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovou bránou. Tato kombinace vytváří zařízení s funkcemi řízení napájení bipolárních tranzistorů a vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem inherentním u zařízení MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS, toto zařízení je bez tepelného úniku a sekundárního rozkladu vyvolaného teplem. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno velmi nízké prahové napětí, vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.
Maximální nízká prahová hodnota 2 V
Vysoká vstupní impedance
Nízká typická vstupní kapacita 100 pF
Rychlé spínací rychlosti
Nízký odpor při zapnutí
Bez sekundárního porušení
Nízký vstupní a výstupní únik
Související odkazy
- řada: TN0606 MOSFET Typ N-kanálový 3 A 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET TP0606N3-G Typ N-kanálový 3 A Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 3 A Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET VN2410L-G Typ N-kanálový 190 mA 240 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: VN0104 MOSFET VN0104N3-G Typ N-kanálový 40 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET VN2222LL-G Typ N-kanálový 230 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET TP2104N3-G Typ P-kanálový 175 mA 40 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET VP2106N3-G Typ P-kanálový 250 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení