AEC-Q101, řada: NP100P06PDG MOSFET NP100P06PDG-E1-AY Typ P-kanálový 100 A 60 V Renesas Electronics, MP-25ZP (TO-263),

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 800 kusech)*

64 444,80 Kč

(bez DPH)

77 978,40 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 22. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
800 +80,556 Kč64 444,80 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
264-1238
Výrobní číslo:
NP100P06PDG-E1-AY
Výrobce:
Renesas Electronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Renesas Electronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

100A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

MP-25ZP (TO-263)

Řada

NP100P06PDG

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

5.1mΩ

Režim kanálu

P

Maximální ztrátový výkon Pd

200W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

300nC

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

AEC-Q101

Automobilový standard

AEC-Q101

Společnost Renesas Electronics zajišťuje nízkonapěťový výkon s tranzistorem MOS pole typu P-kanál, který je určen pro vysokoproudové spínací aplikace. Skládá se z maximálního vypouštěcího proudu 100 A.

Maximální napětí zdroje vypouštění je 60 V

Typ montáže je pro povrchovou montáž

Související odkazy