řada: MDmesh K6 MOSFET N-kanálový 10 A 800 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 250 kusů a ušetřete 350,75 Kč

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

2 815,80 Kč

(bez DPH)

3 407,10 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 15. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za tubu*
Úspora
50 - 20056,316 Kč2 815,80 Kč-
250 - 45054,913 Kč2 745,65 Kč350,75 Kč
500 +53,387 Kč2 669,35 Kč1 464,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
261-5484
Výrobní číslo:
STP80N450K6
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

10A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Řada

MDmesh K6

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.6Ω

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

25.9nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Velmi vysokonapěťový N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je navržen s využitím nejmodernější technologie MDmesh K6 založené na technologii Super Junction. Výsledkem je nejlepší odpor při zapnutí na plochu a náboj hradla pro aplikace vyžadující vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.

Celosvětově nejlepší RDS(on) x plocha

Celosvětově nejlepší hodnota FOM (Figure of Merit)

Mimořádně nízké nabití hradla

100% lavinový test

Zenerova ochrana

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.