řada: MDmesh K6 MOSFET Typ N-kanálový 10 A 800 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 261-5484
- Výrobní číslo:
- STP80N450K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
2 652,80 Kč
(bez DPH)
3 209,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 11. srpna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 53,056 Kč | 2 652,80 Kč |
| 100 - 100 | 51,465 Kč | 2 573,25 Kč |
| 150 + | 50,694 Kč | 2 534,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 261-5484
- Výrobní číslo:
- STP80N450K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | MDmesh K6 | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.6Ω | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25.9nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada MDmesh K6 | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.6Ω | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25.9nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Velmi vysokonapěťový N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je navržen s využitím nejmodernější technologie MDmesh K6 založené na technologii Super Junction. Výsledkem je nejlepší odpor při zapnutí na plochu a náboj hradla pro aplikace vyžadující vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.
Celosvětově nejlepší RDS(on) x plocha
Celosvětově nejlepší hodnota FOM (Figure of Merit)
Mimořádně nízké nabití hradla
100% lavinový test
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: MDmesh K6 MOSFET STP80N450K6 Typ N-kanálový 10 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 17 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP18NM80 Typ N-kanálový 17 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh MOSFET STP11NM80 Typ N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
