MOSFET N-kanálový 20 A STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 261-5482
- Výrobní číslo:
- STD65N160M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
142 445,00 Kč
(bez DPH)
172 357,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 56,978 Kč | 142 445,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 261-5482
- Výrobní číslo:
- STD65N160M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 160mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.6mm | |
| Délka | 10.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 160mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 32nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.6mm | ||
Délka 10.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET s N-kanálem STMicroelectronics je založen na nejinovativnější technologii super-spojky MDmesh M9, která je vhodná pro středně/vysokonapěťové tranzistory MOSFET s velmi nízkou hodnotou RDS(on) na plochu. Technologie M9 na bázi křemíku má prospěch z výrobního procesu s více odtoky, který umožňuje vylepšenou strukturu zařízení.
Vyšší jmenovitý výkon VDSS
Vynikající spínací výkon
Snadné ovládání
100% lavinový test
Zenerova ochrana
Související odkazy
- MOSFET STD65N160M9 N-kanálový 20 A STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET N-kanálový 4 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 6 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 7 A 710 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 7 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 10 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení