řada: IPP MOSFET N-kanálový 193 A 40 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 260-1057
Výrobní číslo:: IPP015N04NF2SAKMA1
Výrobce:: Infineon

řada: IPP MOSFET N-kanálový 193 A 40 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 tuba po 1000 kusech)*

16 243,00 Kč

(bez DPH)

19 654,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 20. května 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
1000 +	16,243 Kč	16 243,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 260-1057
Výrobní číslo:: IPP015N04NF2SAKMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	193A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Řada	IPP
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	1.5mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	188W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	860mV
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	106nC
	Maximální provozní teplota	175°C
	Délka	15.8mm
	Šířka	10.67mm
	Normy/schválení	IEC 61249-2-21, RoHS
	Výška	4.75mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 193A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Řada IPP
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 1.5mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 188W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 860mV
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 106nC
	Maximální provozní teplota 175°C
	Délka 15.8mm
	Šířka 10.67mm
	Normy/schválení IEC 61249-2-21, RoHS
	Výška 4.75mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPP015N04NF2SAKMA1

Tranzistor MOSFET Infineon řady IPP, maximální napětí drain-zdroj 40 V, maximální nepřetržitý drainový proud 193 A – IPP015N04NF2SAKMA1

Tento MOSFET je vysokoproudý N-kanálový tranzistor navržený pro spínání výkonu a řízení zátěže v náročných elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je dodáván v pouzdru TO-220 s průchozím otvorem, který je vhodný pro konvenční metody chladicího chlazení a montáže. Zařízení vyhovuje specifikovaným materiálovým a environmentálním normám a je určeno pro použití tam, kde je vyžadována nízká ztráta vedení a významná schopnost nepřetržitého proudu.

Charakteristiky a výhody:

• Rds(on) 1.5 mΩ snižuje ztráty při vedení a zvyšuje účinnost
• Rozptýlení výkonu 188 W podporuje provoz při trvalém vysokém zatížení
• Proudové napětí 0.86 V snižuje pokles napětí při vedení
• Typické náboje hradla 106 nC umožňuje předvídatelný výkon spínání
• Maximální napětí hradla 20 V zachovává integritu hradla při ovládacích signálech

Aplikace

• Vhodné pro primární spínací stupně napájení
• Ideální pro výstupní stupně motorových pohonů vyžadující vysoký proud
• Používá se s chladiči pro vysokovýkonové průmyslové měniče
• Lze použít pro správu baterií ve vysokoproudých systémech

Jaké extrémní teploty může tolerovat při provozu?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C.

Kolik kolíků má zařízení pro montáž na desku plošných spojů?

Má tříkolíkovou konfiguraci kompatibilní se standardními uspořádáními TO-220.

Splňuje normy v oblasti životního prostředí nebo materiálových norem?

Splňuje požadavky směrnice RoHS a odpovídá specifikacím IEC 61249-2-21.

Jaký režim a typ vedení kanálu používá?

Jedná se o N-kanálové zařízení s režimem vylepšení.

Jaká je maximální kapacita stejnosměrného proudu?

Je specifikován pro nepřetržitý přenos až 193 A.