řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 122 A 150 V Infineon, HSOG, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 259-2739
- Výrobní číslo:
- IPTG063N15NM5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 naviják po 1800 kusech)*
96 892,20 Kč
(bez DPH)
117 239,40 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1800 + | 53,829 Kč | 96 892,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 259-2739
- Výrobní číslo:
- IPTG063N15NM5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 122A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Řada | IPT | |
| Typ balení | HSOG | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.3mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.84V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 214W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Výška | 2.4mm | |
| Šířka | 8.75 mm | |
| Délka | 10.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 122A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Řada IPT | ||
Typ balení HSOG | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.3mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.84V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 214W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Výška 2.4mm | ||
Šířka 8.75 mm | ||
Délka 10.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Průmyslová výkonová zařízení MOSFET Infineon OptiMOS 5 v napětí 80 V a 100 V jsou navržena pro synchronní usměrňování v aplikacích telekomunikačních a serverových napájecích zdrojů, ale také ideální volbou pro další aplikace, jako jsou solární, nízkonapěťové pohony a adaptéry pro notebooky. Díky širokému portfoliu pouzder nabízí tato řada výkonových tranzistorů MOSFET nejnižší průmyslovou hodnotu RDS(on). Jedním z největších přispěvatelů k této přední hodnotě v oboru (FOM) je nízký odpor v zapnutém stavu s hodnotou až 2,7 mΩ v pouzdru SuperSO8, který zajišťuje nejvyšší úroveň hustoty výkonu a účinnosti.
N-kanál, normální úroveň
Velmi nízký odpor při zapnutí RDS(on)
Vynikající tepelná odolnost
100% lavinový test
Bezolovnaté povrchové pokovení; V souladu s RoHS
Bez obsahu halogenů podle normy IEC61249-2-22
Související odkazy
- řada: IPT MOSFET IPTG063N15NM5ATMA1 Typ N-kanálový 122 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 143 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: IPT MOSFET IPTG054N15NM5ATMA1 Typ N-kanálový 143 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 122 A 150 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET IPTC063N15NM5ATMA1 Typ N-kanálový 122 A 150 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- AEC-Q101 HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT Výkonový tranzistor IPTG017N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 331 A 120 V Infineon počet kolíků: 8