řada: IPT MOSFET IPTC014N10NM5ATMA1 Typ N-kanálový 365 A 100 V Infineon, HDSOP, počet kolíků: 16 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 259-2732
- Výrobní číslo:
- IPTC014N10NM5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 259-2732
- Výrobní číslo:
- IPTC014N10NM5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 365A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | HDSOP | |
| Řada | IPT | |
| Počet kolíků | 16 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.4mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 0.88V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 168nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 365A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení HDSOP | ||
Řada IPT | ||
Počet kolíků 16 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.4mΩ | ||
Přímé napětí Vf 0.88V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 168nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Průmyslová výkonová zařízení MOSFET Infineon OptiMOS 5 v napětí 80 V a 100 V jsou navržena pro synchronní usměrňování v aplikacích telekomunikačních a serverových napájecích zdrojů, ale také ideální volbou pro další aplikace, jako jsou solární, nízkonapěťové pohony a adaptéry pro notebooky. Díky širokému portfoliu pouzder nabízí tato řada výkonových tranzistorů MOSFET nejnižší průmyslovou hodnotu RDS(on). Jedním z největších přispěvatelů k této přední hodnotě v oboru (FOM) je nízký odpor v zapnutém stavu s hodnotou až 2,7 mΩ v pouzdru SuperSO8, který zajišťuje nejvyšší úroveň hustoty výkonu a účinnosti.
N-kanál, normální úroveň
Velmi nízký odpor při zapnutí RDS(on)
Vynikající tepelná odolnost
100% lavinový test
Bezolovnaté povrchové pokovení; V souladu s RoHS
Bez obsahu halogenů podle normy IEC61249-2-24
Související odkazy
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 365 A 100 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 408 A 80 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 122 A 150 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 143 A 150 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET IPTC011N08NM5ATMA1 Typ N-kanálový 408 A 80 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET IPTC063N15NM5ATMA1 Typ N-kanálový 122 A 150 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET IPTC054N15NM5ATMA1 Typ N-kanálový 143 A 150 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 174 A 150 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový