řada: IPT MOSFET IPT022N10NF2SATMA1 N-kanálový 236 A 100 V Infineon, HSOF

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 111,20 Kč

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

110,66 Kč

(bez DPH)

133,90 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 796 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
Úspora
1 - 9110,66 Kč-
10 - 2499,54 Kč111,20 Kč
25 - 4992,38 Kč457,00 Kč
50 - 9987,19 Kč1 173,50 Kč
100 +80,28 Kč3 038,00 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
259-2655
Výrobní číslo:
IPT022N10NF2SATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

236A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

HSOF

Řada

IPT

Typ montáže

Povrch

Přímé napětí Vf

1.2V

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon StrongIRFET 2 jsou optimalizovány pro širokou škálu aplikací, jako jsou SMPS, pohony motorů, napájení z baterií, správa baterií, UPS a lehká elektrická vozidla. Tato nová technologie nabízí až 40% zlepšení RDS(on) a až 60% nižší Qg ve srovnání s předchozími zařízeními StrongIRFET, což se promítá do vyšší účinnosti pro lepší celkový výkon systému. Zvýšené jmenovité proudy umožňují vyšší proudovou přenosnost, což eliminuje nutnost paralelní montáže více zařízení, což vede k nižším nákladům na BOM a úsporám na desce.

Široká dostupnost od distribučních partnerů

Vynikající poměr cena/výkon

Ideální pro vysoké a nízké spínací frekvence

Průmyslové pouzdro s průchozím otvorem

Vysoký jmenovitý proud

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.