řada: IPD MOSFET IPD055N08NF2SATMA1 Typ N-kanálový 98 A 80 V Infineon, TO-252 N
- Skladové číslo RS:
- 259-2607
- Výrobní číslo:
- IPD055N08NF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
206,30 Kč
(bez DPH)
249,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 920 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 41,26 Kč | 206,30 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 259-2607
- Výrobní číslo:
- IPD055N08NF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 98A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | IPD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 98A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada IPD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon StrongIRFET 2 jsou optimalizovány pro širokou škálu aplikací, jako jsou SMPS, pohony motorů, napájení z baterií, správa baterií, UPS a lehká elektrická vozidla. Tato nová technologie nabízí až 40% zlepšení RDS(on) a až 60% nižší Qg ve srovnání s předchozími zařízeními StrongIRFET, což se promítá do vyšší účinnosti pro lepší celkový výkon systému. Zvýšené jmenovité proudy umožňují vyšší proudovou přenosnost, což eliminuje nutnost paralelní montáže více zařízení, což vede k nižším nákladům na BOM a úsporám na desce.
Široká dostupnost od distribučních partnerů
Vynikající poměr cena/výkon
Ideální pro vysoké a nízké spínací frekvence
Průmyslové pouzdro s průchozím otvorem
Vysoký jmenovitý proud
Související odkazy
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 98 A 80 V Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 129 A 80 V Infineon, TO-252 P
- řada: IPD MOSFET IPD040N08NF2SATMA1 Typ N-kanálový 129 A 80 V Infineon, TO-252 P
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 3.7 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 18 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 18.1 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 9.9 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 90 A Infineon, TO-252 N