řada: IPD MOSFET IPD040N08NF2SATMA1 Typ N-kanálový 129 A 80 V Infineon, TO-252 P

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

125,72 Kč

(bez DPH)

152,12 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 712 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1862,86 Kč125,72 Kč
20 - 4855,70 Kč111,40 Kč
50 - 9852,86 Kč105,72 Kč
100 - 19849,03 Kč98,06 Kč
200 +45,20 Kč90,40 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
259-2599
Výrobní číslo:
IPD040N08NF2SATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

129A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Řada

IPD

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Režim kanálu

P

Přímé napětí Vf

1.2V

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon StrongIRFET 2 jsou optimalizovány pro širokou škálu aplikací, jako jsou SMPS, pohony motorů, napájení z baterií, správa baterií, UPS a lehká elektrická vozidla. Tato nová technologie nabízí až 40% zlepšení RDS(on) a až 60% nižší Qg ve srovnání s předchozími zařízeními StrongIRFET, což se promítá do vyšší účinnosti pro lepší celkový výkon systému. Zvýšené jmenovité proudy umožňují vyšší proudovou přenosnost, což eliminuje nutnost paralelní montáže více zařízení, což vede k nižším nákladům na BOM a úsporám na desce.

Široká dostupnost od distribučních partnerů

Vynikající poměr cena/výkon

Ideální pro vysoké a nízké spínací frekvence

Průmyslové pouzdro s průchozím otvorem

Vysoký jmenovitý proud

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.