řada: iPB MOSFET IPB016N08NF2SATMA1 Typ N-kanálový 52 A 100 V Infineon, TO-252 P
- Skladové číslo RS:
- 259-2571
- Výrobní číslo:
- IPB016N08NF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
103,25 Kč
(bez DPH)
124,93 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 777 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 103,25 Kč |
| 10 - 24 | 93,12 Kč |
| 25 - 49 | 86,45 Kč |
| 50 - 99 | 80,28 Kč |
| 100 + | 75,34 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 259-2571
- Výrobní číslo:
- IPB016N08NF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 52A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | iPB | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Režim kanálu | P | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 52A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada iPB | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Režim kanálu P | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon StrongIRFET 2 jsou optimalizovány pro širokou škálu aplikací, jako jsou SMPS, pohony motorů, napájení z baterií, správa baterií, UPS a lehká elektrická vozidla. Tato nová technologie nabízí až 40% zlepšení RDS(on) a až 60% nižší Qg ve srovnání s předchozími zařízeními StrongIRFET, což se promítá do vyšší účinnosti pro lepší celkový výkon systému. Zvýšené jmenovité proudy umožňují vyšší proudovou přenosnost, což eliminuje nutnost paralelní montáže více zařízení, což vede k nižším nákladům na BOM a úsporám na desce.
Široká dostupnost od distribučních partnerů
Vynikající poměr cena/výkon
Ideální pro vysoké a nízké spínací frekvence
Průmyslové pouzdro s průchozím otvorem
Vysoký jmenovitý proud
Související odkazy
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 52 A 100 V Infineon, TO-252 P
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 137 A 100 V Infineon, TO-252 N
- řada: iPB MOSFET IPB042N10N3GATMA1 Typ N-kanálový 137 A 100 V Infineon, TO-252 N
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 135 A 100 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 162 A 100 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 180 A 60 V Infineon, TSDSON P
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 103 A 100 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 44 A 300 V Infineon, TO-263 P