řada: iPB MOSFET IPB016N06L3GATMA1 Typ N-kanálový 180 A 60 V Infineon, TSDSON P

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

148,32 Kč

(bez DPH)

179,46 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1874,16 Kč148,32 Kč
20 - 4862,985 Kč125,97 Kč
50 - 9859,28 Kč118,56 Kč
100 - 19854,96 Kč109,92 Kč
200 +51,255 Kč102,51 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
258-7735
Výrobní číslo:
IPB016N06L3GATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

180A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

iPB

Typ balení

TSDSON

Typ montáže

Povrch

Režim kanálu

P

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS 3 je ideální volbou pro synchronní usměrňování v spínaných napájecích zdrojích, jako jsou například napájecí zdroje na serverech, stolních počítačích a nabíječkách tabletů. Kromě toho lze tato zařízení použít pro širokou škálu průmyslových aplikací, včetně řízení motorů, solárních mikroměničů a rychlospínacích měničů DC/DC.

Velmi nízký odpor při zapnutí RDS při zapnutí

Ideální pro aplikace s rychlým spínáním

V souladu s RoHS

Nejvyšší účinnost systému

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.