řada: HEXFET MOSFET IRFR15N20DTRPBF N-kanálový 17 A 200 V Infineon, TO-252

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

226,75 Kč

(bez DPH)

274,35 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4545,35 Kč226,75 Kč
50 - 12039,422 Kč197,11 Kč
125 - 24536,754 Kč183,77 Kč
250 - 49534,036 Kč170,18 Kč
500 +31,714 Kč158,57 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
258-3980
Výrobní číslo:
IRFR15N20DTRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

17A

Maximální napětí na zdroji Vds

200V

Typ balení

TO-252

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

165mΩ

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

27nC

Maximální ztrátový výkon Pd

140W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET společnosti Infineon využívají osvědčené křemíkové procesy a nabízejí návrhářům širokou škálu zařízení pro podporu různých aplikací, jako jsou stejnosměrné motory, měniče, SMPS, osvětlení, spínače zátěže a také aplikace napájené baterií. Zařízení jsou k dispozici v různých pouzdrech pro povrchovou montáž a průchozí otvory s průmyslovými rozměry pro snadnou konstrukci.

Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA

Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů

Kvalifikace produktu podle normy JEDEC

Zvýšená odolnost

Kompatibilita s více dodavateli

Kvalifikační úroveň podle průmyslového standardu

Související odkazy