řada: HEXFET MOSFET IRFR15N20DTRPBF Typ N-kanálový 17 A 200 V Infineon, TO-252
- Skladové číslo RS:
- 258-3980
- Výrobní číslo:
- IRFR15N20DTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
109,42 Kč
(bez DPH)
132,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 5 410 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,884 Kč | 109,42 Kč |
| 50 - 120 | 19,02 Kč | 95,10 Kč |
| 125 - 245 | 17,734 Kč | 88,67 Kč |
| 250 - 495 | 16,40 Kč | 82,00 Kč |
| 500 + | 15,314 Kč | 76,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3980
- Výrobní číslo:
- IRFR15N20DTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 17A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 165mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 140W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 17A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 165mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 27nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 140W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET společnosti Infineon využívají osvědčené křemíkové procesy a nabízejí návrhářům širokou škálu zařízení pro podporu různých aplikací, jako jsou stejnosměrné motory, měniče, SMPS, osvětlení, spínače zátěže a také aplikace napájené baterií. Zařízení jsou k dispozici v různých pouzdrech pro povrchovou montáž a průchozí otvory s průmyslovými rozměry pro snadnou konstrukci.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Zvýšená odolnost
Kompatibilita s více dodavateli
Kvalifikační úroveň podle průmyslového standardu
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 200 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 55 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR024NTRPBF Typ N-kanálový 17 A 55 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 5 A 200 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR220NTRPBF Typ N-kanálový 5 A 200 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLR024NTRPBF Typ N-kanálový 17 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení