řada: HEXFET MOSFET IRFI4212H-117PXKMA1 Typ N-kanálový 11 A 100 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 258-3978
- Výrobní číslo:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
123,99 Kč
(bez DPH)
150,03 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 802 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 61,995 Kč | 123,99 Kč |
| 20 - 48 | 52,115 Kč | 104,23 Kč |
| 50 - 98 | 49,03 Kč | 98,06 Kč |
| 100 - 198 | 45,20 Kč | 90,40 Kč |
| 200 + | 41,99 Kč | 83,98 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3978
- Výrobní číslo:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 72.50mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 72.50mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí drain-zdroj 100 V, maximální nepřetržitý drainový proud 11 A – IRFI4212H-117PXKMA1
Tento n-kanálový MOSFET je výkonový tranzistor pro povrchovou montáž určený pro spínání a zesilování v průmyslových elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot a splňuje environmentální limity RoHS, díky čemuž je vhodný pro instalace vyžadující bezolovnaté součásti a širokou tepelnou toleranci.
Charakteristiky a výhody:
• Nízký odpor při zapnutí snižuje ztráty při vedení
• Jmenovité vysoké napětí podporuje vyvýšené napájecí lišty
• Mírné nabití hradla umožňuje rychlejší přepínání
• Pouzdro s pěti svorkami zjednodušuje montáž a připojení
• Schopnost dosahovat širokého rozsahu teplot zajišťuje provoz v extrémních podmínkách
• Jmenovité vysoké napětí podporuje vyvýšené napájecí lišty
• Mírné nabití hradla umožňuje rychlejší přepínání
• Pouzdro s pěti svorkami zjednodušuje montáž a připojení
• Schopnost dosahovat širokého rozsahu teplot zajišťuje provoz v extrémních podmínkách
Aplikace
• Vhodné pro moduly pro převod napájení v průmyslových zařízeních
• Ideální pro spínací stupně pohonu motoru vyžadující proud 11 A
• Používá se s konfiguracemi vysokonapěťových spínačů až do 100 V
• Vhodné pro sestavy vyžadující pouzdro TO‐220 pro povrchovou montáž
• Používá se pro tepelně namáhaná prostředí v rozsahu -55 °C až 150 °C
• Ideální pro spínací stupně pohonu motoru vyžadující proud 11 A
• Používá se s konfiguracemi vysokonapěťových spínačů až do 100 V
• Vhodné pro sestavy vyžadující pouzdro TO‐220 pro povrchovou montáž
• Používá se pro tepelně namáhaná prostředí v rozsahu -55 °C až 150 °C
Jaká je polarita kanálu?
Používá režim zesílení N-kanálu pro vedení elektronů.
Jak poptávka po ovládání hradla ovlivňuje přepínání?
Typický náboj hradla je 12 nC při jmenovitém napětí hradla, což ovlivňuje velikost budiče a spínací rychlost.
Jaké elektrické napětí může zařízení odolat mezi vypouštěním a zdrojem?
Má jmenovité napětí 100 V mezi vypouštěním a zdrojem za maximálních specifikovaných podmínek.
Jaké jsou balení a způsob montáže?
Dodává se v pouzdru TO‐220 určeném pro povrchovou montáž.
Jaká omezující charakteristika definuje účinnost vedení?
Maximální odpor mezi vypouštěním a zdrojem je 72,50 mΩ, což ovlivňuje ztráty při vedení při vysokém proudu.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 11 A 100 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFI4020H-117PXKMA1 9.1 A 200 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET 9.1 A 200 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 25 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 280 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení