řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 483 A 100 V Infineon, TO-247 Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 258-3950
- Výrobní číslo:
- IRF100P218AKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*
3 312,75 Kč
(bez DPH)
4 008,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 400 jednotka(y) budou odesílané od 03. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 132,51 Kč | 3 312,75 Kč |
| 50 - 100 | 125,891 Kč | 3 147,28 Kč |
| 125 + | 120,586 Kč | 3 014,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3950
- Výrobní číslo:
- IRF100P218AKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 483A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.28mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | +175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 483A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.28mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota +175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí vypouštění-zdroj 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 483 A – IRF100P218AKMA1
Tento MOSFET je polovodičové zařízení s N-kanálem s vysokým proudem určené pro výkonové spínání a konverzi. Pracuje v širokém rozsahu teplot vhodných pro náročné prostředí a je dodáván v pouzdru TO‐247 pro povrchovou montáž. Zařízení používá zesilovací režim vedení a splňuje požadavky RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Rds(on) 1.28 mΩ snižuje ztráty při vedení při velké zátěži
• 100 V Vds umožňuje použití v napájecích aplikacích se středním napětím
• Stálý proud 483A podporuje vysokoproudé spínání
• Rozsah -55 °C až +175 °C umožňuje provoz v průmyslových teplotách
• Proudové napětí 1.2 V zlepšuje účinnost vedení diody
• 100 V Vds umožňuje použití v napájecích aplikacích se středním napětím
• Stálý proud 483A podporuje vysokoproudé spínání
• Rozsah -55 °C až +175 °C umožňuje provoz v průmyslových teplotách
• Proudové napětí 1.2 V zlepšuje účinnost vedení diody
Aplikace
• Vhodné pro výkonové stupně pohonu motoru
• Ideální pro spínání výstupů měničů
• Používá se s vysokoproudými napájecími zdroji
• Lze použít pro měniče DC/DC v průmyslových systémech
• Vhodné pro vysokoproudové zkušební stoly a zátěžové stanice
• Ideální pro spínání výstupů měničů
• Používá se s vysokoproudými napájecími zdroji
• Lze použít pro měniče DC/DC v průmyslových systémech
• Vhodné pro vysokoproudové zkušební stoly a zátěžové stanice
Jaké montážní uspořádání používá?
Dodává se v pouzdru TO‐247 určeném pro povrchovou montáž.
Jaký typ vedení používá zařízení?
Tranzistor je kanál typu N s režimem zesílení pro řízené spínání.
Splňuje běžná omezení nebezpečných látek?
Má schválení RoHS, což znamená, že jsou kontrolovány omezené látky.
Jaké tepelné extrémy může během provozu tolerovat?
Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu -55 °C až +175 °C.
Jaké je typické napětí při vedení mezi tělem a diodou?
Propojovací napětí je specifikováno jako 1,2 V.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRF100P218AKMA1 Typ N-kanálový 483 A 100 V Infineon, TO-247 Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 224 A 150 V Infineon, TO-247 Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 186 A 150 V Infineon, TO-247 Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF150P221AKMA1 Typ N-kanálový 186 A 150 V Infineon, TO-247 Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF150P220AKMA1 Typ N-kanálový 224 A 150 V Infineon, TO-247 Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET IRF100P218XKMA1 N-kanálový 483 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 44 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 57 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení