AEC-Q101, řada: OptiMOSTM-T2 MOSFET IPG20N10S4L22AATMA1 Typ N-kanálový 20 A 100 V, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

106,70 Kč

(bez DPH)

129,10 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 4 948 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1853,35 Kč106,70 Kč
20 - 4848,04 Kč96,08 Kč
50 - 9844,705 Kč89,41 Kč
100 - 19841,62 Kč83,24 Kč
200 +38,78 Kč77,56 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
258-3883
Výrobní číslo:
IPG20N10S4L22AATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

20A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

TDSON

Řada

OptiMOSTM-T2

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

22mΩ

Režim kanálu

Duální N

Typický náboj brány Qg @ Vgs

21nC

Maximální ztrátový výkon Pd

60W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

16V

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1V

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Režim zvýšení logické úrovně kanálu N

Normy/schválení

RoHS Compliant

Automobilový standard

AEC-Q101

Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS-T2 má režim vylepšení normální úrovně se dvěma N-kanály. Má provozní teplotu 175 °C.

Certifikace AEC Q101

MSL1 až 260 °C špičkový reflow

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.