řada: IPD MOSFET IPD50R950CEAUMA1 Typ N-kanálový 4.3 A 500 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 258-3847
- Výrobní číslo:
- IPD50R950CEAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
84,47 Kč
(bez DPH)
102,21 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 290 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,894 Kč | 84,47 Kč |
| 50 - 120 | 15,068 Kč | 75,34 Kč |
| 125 - 245 | 14,228 Kč | 71,14 Kč |
| 250 - 495 | 13,14 Kč | 65,70 Kč |
| 500 + | 8,496 Kč | 42,48 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3847
- Výrobní číslo:
- IPD50R950CEAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | IPD | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 950mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 0.83V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 53W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada IPD | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 950mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 0.83V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 53W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 500V CoolMOS CE je cena-výkon optimalizovaná platforma, která umožňuje cílit se na cenově citlivé aplikace na spotřebitelských a osvětlovacích trzích a zároveň splňovat nejvyšší standardy účinnosti. Nová řada nabízí všechny výhody rychle přepínajícího se super spoje MOSFET, přičemž neobětuje jednoduchost použití a nabízí nejlepší poměr nákladů a výkonu dostupný na trhu.
Vysoká odolnost tělesné diody
Snížená zpětná rekuperace nabíjení
Snadné ovládání spínacího chování
Související odkazy
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 4.3 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 3.7 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 18 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 18.1 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 9.9 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 90 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 75 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 13.3 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N