řada: IPD MOSFET IPD122N10N3GATMA1 Typ N-kanálový 59 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 258-3833
- Výrobní číslo:
- IPD122N10N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
57,55 Kč
(bez DPH)
69,636 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 262 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 28,775 Kč | 57,55 Kč |
| 20 - 48 | 25,81 Kč | 51,62 Kč |
| 50 - 98 | 23,96 Kč | 47,92 Kč |
| 100 - 198 | 22,355 Kč | 44,71 Kč |
| 200 + | 20,75 Kč | 41,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3833
- Výrobní číslo:
- IPD122N10N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 59A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | IPD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 12.2mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 94W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 59A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada IPD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 12.2mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 94W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS nabízejí vynikající řešení pro SMPS s vysokou účinností a vysokou výkonovou hustotou. Ve srovnání s nejbližší nejlepší technologií dosahuje tato řada snížení R DS(on) i FOM o 30 %.
Vynikající spínací výkon
Vyžaduje méně paralelizace
Nejmenší spotřeba místa na desce
Snadno navrhovatelné produkty
Související odkazy
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 59 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 3.7 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 18 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 18.1 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 9.9 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 90 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 75 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET IPD50R280CEAUMA1 Typ N-kanálový 18.1 A Infineon, TO-252 N