řada: iPB MOSFET IPB60R299CPAATMA1 Typ N-kanálový 11 A 600 V Infineon, TO-263 N

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

80,52 Kč

(bez DPH)

97,43 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 694 jednotka(y) budou odesílané od 02. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 480,52 Kč
5 - 976,57 Kč
10 - 2469,16 Kč
25 - 4962,00 Kč
50 +59,28 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
258-3809
Výrobní číslo:
IPB60R299CPAATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

11A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

iPB

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

40.7mΩ

Režim kanálu

N

Přímé napětí Vf

1.2V

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonový tranzistor Infineon CoolMOS má vysokou špičkovou proudovou kapacitu a certifikaci AEC Q101 pro automobilový průmysl.

Mimořádně nízké nabití hradla

Extrémní jmenovitá hodnota dv/dt

Související odkazy