AEC-Q101, řada: iPB MOSFET IPB100N12S305ATMA1 Typ N-kanálový 100 A 120 V Infineon, TO-263 Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

89,91 Kč

(bez DPH)

108,79 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 830 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 989,91 Kč
10 - 2481,02 Kč
25 - 4975,58 Kč
50 - 9970,15 Kč
100 +65,46 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
258-3796
Výrobní číslo:
IPB100N12S305ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

100A

Maximální napětí na zdroji Vds

120V

Řada

iPB

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

4.8mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

300W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

139nC

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS-T má N-kanálový režim vylepšení normální úrovně. Má provozní teplotu 175 °C.

Certifikace AEC

MSL1 až 260 °C špičkový reflow

Související odkazy