AEC-Q101, řada: iPB MOSFET IPB100N12S305ATMA1 N-kanálový 100 A 120 V Infineon, TO-263 Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 258-3796
- Výrobní číslo:
- IPB100N12S305ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 135,80 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
138,32 Kč
(bez DPH)
167,37 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 790 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 138,32 Kč | - |
| 10 - 24 | 124,74 Kč | 135,80 Kč |
| 25 - 49 | 116,58 Kč | 543,50 Kč |
| 50 - 99 | 108,19 Kč | 1 506,50 Kč |
| 100 + | 101,02 Kč | 3 730,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3796
- Výrobní číslo:
- IPB100N12S305ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 120V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | iPB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 139nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 120V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada iPB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 139nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS-T má N-kanálový režim vylepšení normální úrovně. Má provozní teplotu 175 °C.
Certifikace AEC
MSL1 až 260 °C špičkový reflow