AEC-Q101, řada: iPB MOSFET Typ P-kanálový 120 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 229-1818
Výrobní číslo:: IPB120P04P4L03ATMA2
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: iPB MOSFET Typ P-kanálový 120 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1000 jednotky/-ek, v kotouči po 1000 ks)*

30 826,00 Kč

(bez DPH)

37 299,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 14. prosince 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	30,826 Kč	30 826,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 229-1818
Výrobní číslo:: IPB120P04P4L03ATMA2
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	120A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Řada	iPB
	Typ balení	TO-263
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	3.1mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	-1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd	136W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	16V
	Maximální provozní teplota	+175°C
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Řada iPB
	Typ balení TO-263
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 3.1mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf -1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd 136W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V
	Maximální provozní teplota +175°C
	Normy/schválení No
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPB120P04P4L03ATMA2

MOSFET Infineon řady iPB, maximální zdrojové napětí vypouštění 40 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 120 A – IPB120P04P4L03ATMA2

Tento p-kanálový MOSFET je výkonový tranzistor pro povrchovou montáž navržený pro vysokoproudé spínání a tepelnou odolnost v automobilovém a průmyslovém prostředí. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je určen pro použití tam, kde je vyžadována robustní tolerance hradla a nízké ztráty vedení.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovité napětí 40 V umožňuje přepínání středního napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 120 A podporuje manipulaci s velkou zátěží
• Nízká hodnota Rds(on) 3.1 mΩ snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 136 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem
• Tolerance Vgs až 16 V umožňuje vyšší rozpětí pohonu hradla
• Rozsah teplot -55 °C až 175 °C udržuje provoz v extrémních podmínkách

Aplikace

• Vhodné pro obvody pro ochranu vysokoproudých zpětných baterií
• Ideální pro moduly rozvodu napájení v automobilovém průmyslu
• Používá se s regulátorem motoru na nízké nebo vysoké straně
• Lze použít pro synchronní spínání měničů DC/DC
• Vhodné pro funkce řízení napájení v elektrických vozidlech

Jaké pouzdro používá pro montáž PCB?

Dodává se v pouzdru TO-263 pro povrchovou montáž, který je navržen pro montáž na pájenou desku.

Jak se chová tepelně při vysoké zátěži?

Zařízení může při správném chlazení rozptylovat až 136 W, což umožňuje delší provoz při vyšším výkonu s odpovídajícím tepelným řízením.

Jaké limity hradla je třeba při návrhu dodržovat?

Napětí zdroje hradla nesmí překročit 16 V, aby se zabránilo přetížení hradla.

Je vhodný pro požadavky kvalifikace v automobilovém průmyslu?

Splňuje normu AEC-Q101 pro automobilový průmysl pro certifikaci polovodičů.