řada: IPA MOSFET IPA80R1K0CEXKSA2 Typ N-kanálový 5.7 A 800 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 258-3776
- Výrobní číslo:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
112,63 Kč
(bez DPH)
136,282 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 492 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 56,315 Kč | 112,63 Kč |
| 20 - 48 | 53,60 Kč | 107,20 Kč |
| 50 - 98 | 51,375 Kč | 102,75 Kč |
| 100 - 198 | 48,785 Kč | 97,57 Kč |
| 200 + | 45,695 Kč | 91,39 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3776
- Výrobní číslo:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | IPA | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 950mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 32W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada IPA | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 950mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 32W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 800V CoolMOS CE je řada vysoce výkonných zařízení, která nabízí přerušovací napětí 800 V. CE se zaměřuje na spotřební elektroniku a osvětlení. Nová řada 800 V se speciálně zaměřuje na aplikace LED. Společnost Infineon kombinuje s touto specifickou řadou CoolMOS dlouholeté zkušenosti jako přední dodavatel MOSFETů Super Junction s nejlepšími inovacemi ve své třídě.
Nízký specifický odpor v zapnutém stavu
Velmi nízké skladování energie při výstupní kapacitě při 400 V
Vysoká spolehlivost
Snadné použití
Související odkazy
- řada: IPA MOSFET Typ N-kanálový 5.7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IPA MOSFET Typ N-kanálový 4.5 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IPA MOSFET IPA80R650CEXKSA2 Typ N-kanálový 4.5 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IPA MOSFET Typ N-kanálový 84 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IPA MOSFET Typ N-kanálový 13.9 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IPA MOSFET Typ N-kanálový 7.2 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IPA MOSFET Typ N-kanálový 8.7 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IPA MOSFET Typ N-kanálový 9.9 A Infineon, TO-220 N