MOSFET FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 150 A 1.2 kV Infineon, AG-EASY1BS-1
- Skladové číslo RS:
- 258-0846
- Výrobní číslo:
- FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 tác po 24 kusech)*
56 972,76 Kč
(bez DPH)
68 937,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 17. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za kus* |
|---|---|---|
| 24 + | 2 373,865 Kč | 56 972,76 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-0846
- Výrobní číslo:
- FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 150A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1.2kV | |
| Typ balení | AG-EASY1BS-1 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9.8mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 5.95V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 150A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1.2kV | ||
Typ balení AG-EASY1BS-1 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9.8mΩ | ||
Přímé napětí Vf 5.95V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Automobilový modul Infineon CoolSiCTM EasyPACKTM1B je polomůstkový modul, který kombinuje výhody robustní karbidové technologie Infineon s velmi kompaktním a flexibilním pouzdrem pro hybridní a elektrická vozidla. Napájecí modul implementuje nový automobilový tranzistor MOSFET CoolSiCTM 1200 V Gen1, který je optimalizován pro vysokonapěťové aplikace, jako je měnič DC/DC a pomocný měnič. Sada čipů nabízí referenční hustotu proudu, vysoké blokové napětí a snížené spínací ztráty, což umožňuje kompaktní provedení a pomáhá zlepšit účinnost systému, stejně jako umožňuje spolehlivý provoz v náročných podmínkách prostředí.
Vnitřní dioda s nízkým zpětným zotavením
Nízká rozptylová induktivita 5 nH
Blokovací napětí 1200 V
Nízké spínací ztráty
Integrovaný snímač teploty NTC
Související odkazy
- MOSFET FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 150 A 1.2 kV Infineon, AG-EASY1BS-1
- MOSFET DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 50 A 2 kV Infineon, AG-EASY3B
- MOSFET IMZ120R060M1HXKSA1 N-kanálový 1.2 kV Infineon, TO-247 N
- řada: FF6MR MOSFET FF6MR20W2M1HB70BPSA1 N-kanálový 150 A 1200 V Infineon, AG-EASY2B Vylepšení
- řada: FF4000 MOSFET FF4000UXTR33T2M1BPSA1 N-kanálový 500 A 3.3 kV Infineon, AG-XHP2K33 Vylepšení
- řada: F3L6MR MOSFET F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 N-kanálový 375 A 2 kV Infineon, AG-EASY2B Vylepšení
- Infineon IGBT modul 600 A 1.2 kV počet kolíků: 11 kolíkový Povrch 2
- Infineon IGBT modul FF600R12ME7B11BPSA1 600 A 1.2 kV počet kolíků: 11 kolíkový Povrch 2
