MOSFET 150 A 1200 V Infineon, AG-EASY1BS-1
- Skladové číslo RS:
- 258-0846
- Výrobní číslo:
- FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 tác po 24 kusech)*
147 412,032 Kč
(bez DPH)
178 368,552 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 24 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za kus* |
|---|---|---|
| 24 + | 6 142,168 Kč | 147 412,03 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-0846
- Výrobní číslo:
- FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 150A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | AG-EASY1BS-1 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9.8mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 5.95V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 150A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení AG-EASY1BS-1 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9.8mΩ | ||
Přímé napětí Vf 5.95V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Automobilový modul Infineon CoolSiCTM EasyPACKTM1B je polomůstkový modul, který kombinuje výhody robustní karbidové technologie Infineon s velmi kompaktním a flexibilním pouzdrem pro hybridní a elektrická vozidla. Napájecí modul implementuje nový automobilový tranzistor MOSFET CoolSiCTM 1200 V Gen1, který je optimalizován pro vysokonapěťové aplikace, jako je měnič DC/DC a pomocný měnič. Sada čipů nabízí referenční hustotu proudu, vysoké blokové napětí a snížené spínací ztráty, což umožňuje kompaktní provedení a pomáhá zlepšit účinnost systému, stejně jako umožňuje spolehlivý provoz v náročných podmínkách prostředí.
Vnitřní dioda s nízkým zpětným zotavením
Nízká rozptylová induktivita 5 nH
Blokovací napětí 1200 V
Nízké spínací ztráty
Integrovaný snímač teploty NTC
Související odkazy
- MOSFET FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 150 A 1200 V Infineon, AG-EASY1BS-1
- řada: FF6MR MOSFET FF6MR20W2M1HB70BPSA1 Typ N-kanálový 150 A 1200 V Infineon, AG-EASY2B Vylepšení
- řada: FF6MR MOSFET Typ N-kanálový 250 A 1200 V, AG-62MM Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: FF6MR MOSFET FF6MR12KM1BOSA1 Typ N-kanálový 250 A 1200 V, AG-62MM Infineon Vylepšení 1 Duální
- AEC-Q101 AG-EASY1B Infineon, počet
- řada: EasyDUAL MOSFET FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Typ N-kanálový 50 A 1200 V počet kolíků: 23 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 400 A 1200 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Infineon Dioda 1200 A 1600 V, AG-ECONO2A-8111
