řada: HEXFET MOSFET IRFS7530TRLPBF Typ N-kanálový 195 A 60 V Infineon, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 257-9438
- Výrobní číslo:
- IRFS7530TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
185,00 Kč
(bez DPH)
223,84 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 580 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 92,50 Kč | 185,00 Kč |
| 20 - 48 | 81,385 Kč | 162,77 Kč |
| 50 - 98 | 76,94 Kč | 153,88 Kč |
| 100 - 198 | 71,135 Kč | 142,27 Kč |
| 200 + | 65,825 Kč | 131,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9438
- Výrobní číslo:
- IRFS7530TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 195A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 274nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 195A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 274nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRFS je 60V jednoduchý n-kanálový výkonový HEXFET mosfet v pouzdru D2 Pak.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Optimalizováno pro napětí hradla 10 V (tzv. normální úroveň)
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Měkčí dioda těla ve srovnání s předchozí křemíkovou generací
Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Možnost pájení vlnou
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 195 A 60 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 195 A 60 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRFB7534PBF Typ N-kanálový 195 A 60 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 210 A 60 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 160 A 60 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 60 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 270 A 60 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFS7540TRLPBF Typ N-kanálový 110 A 60 V Infineon, TO-263