řada: HEXFET MOSFET IRFS4620TRLPBF N-kanálový 24 A 200 V Infineon, TO-263 Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 257-9436
- Výrobní číslo:
- IRFS4620TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
373,22 Kč
(bez DPH)
451,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 330 jednotka(y) budou odesílané od 28. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 74,644 Kč | 373,22 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9436
- Výrobní číslo:
- IRFS4620TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 24A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 77.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 144W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Maximální odpor zdroje Rds 77.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 144W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí drain-zdroj 200 V, maximální nepřetržitý drainový proud 24 A – IRFS4620TRLPBF
Tento MOSFET je výkonový tranzistor s režimem zesílení N-kanálu určený pro vysokonapěťové spínání a úkoly převodu výkonu. Dodává se v pouzdru TO-263 vhodném pro napájecí jednotky namontované na desce a pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu pro náročná prostředí. Zařízení obsahuje vnitřní tělesnou diodu se specifikovaným propustným napětím a je v souladu s RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota 200 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Stálý proud 24 A podporuje velkou manipulaci se zátěží
• RDS(on) 77.5 mΩ snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 144 W umožňuje vyšší tepelnou zátěž
• typické náboje hradla 25 nC zajišťuje předvídatelné požadavky na pohon
• Stálý proud 24 A podporuje velkou manipulaci se zátěží
• RDS(on) 77.5 mΩ snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 144 W umožňuje vyšší tepelnou zátěž
• typické náboje hradla 25 nC zajišťuje předvídatelné požadavky na pohon
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové stupně měničů DC/DC
• Ideální pro spínané spínače výstupu napájecího zdroje
• Používá se s regulátory motorových pohonů v napájecích sestavách
• Lze použít pro přepínání zátěže v průmyslové elektronice
• Vhodné pro řízení napájení v neautomotivních systémech
• Ideální pro spínané spínače výstupu napájecího zdroje
• Používá se s regulátory motorových pohonů v napájecích sestavách
• Lze použít pro přepínání zátěže v průmyslové elektronice
• Vhodné pro řízení napájení v neautomotivních systémech
Jaké úvahy o pohonu hradla bych měl naplánovat?
Očekávat typický celkový náboj hradla 25 nC při VGS
vyberte ovladač, který dokáže generovat a odvodit dostatečný proud pro dosažení požadované spínací rychlosti.
Jak tepelná kapacita ovlivňuje konstrukci PCB?
Díky maximálnímu ztrátě výkonu 144 W zajistěte dostatečnou plochu mědi nebo chladicí a tepelné cesty pro správu přenosu tepla ze spojky do prostředí.
Jaké jsou limity pro řídicí a signální napětí?
Hradlo může být poháněno napětím až 20 V vzhledem ke zdroji
výkyvy zdroje brány by neměly překročit tuto hodnotu.
Jaký rozsah teplot může tolerovat při provozu?
Zařízení je určeno pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C pro široké teplotní aplikace.
Jaká charakteristika diody je důležitá pro reverzní vedení?
Vnitřní dioda nabízí přímé napětí 1,3 V, které ovlivňuje ztráty vedení při událostech s reverzním proudem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 24 A 200 V Infineon, TO-263 Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF640NSTRLPBF N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFS4020TRLPBF N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 62 A 200 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 43 A 200 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFS38N20DTRLP N-kanálový 43 A 200 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFS4227TRLPBF N-kanálový 62 A 200 V Infineon, TO-263
