řada: HEXFET MOSFET IRFH5302TRPBF Typ N-kanálový 100 A 30 V Infineon, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 257-9373
- Výrobní číslo:
- IRFH5302TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
177,84 Kč
(bez DPH)
215,185 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 985 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 35,568 Kč | 177,84 Kč |
| 50 - 120 | 31,172 Kč | 155,86 Kč |
| 125 - 245 | 29,096 Kč | 145,48 Kč |
| 250 - 495 | 27,072 Kč | 135,36 Kč |
| 500 + | 19,908 Kč | 99,54 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9373
- Výrobní číslo:
- IRFH5302TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PQFN | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.5mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 5mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PQFN | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.5mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 5mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRFH je 30V jednoduchý nkanálový výkonný IRFET mosfet v pouzdru PQFN 5x6. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Měkčí dioda těla ve srovnání s předchozí křemíkovou generací
K dispozici široké portfolio
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.6 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -5.1 A -30 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 280 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRLHS6376TRPBF Typ N-kanálový 3.6 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRLHM630TRPBF Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon, PQFN