řada: HEXFET MOSFET IRF8010PBF N-kanálový 80 A 100 V Infineon, TO-220
- Skladové číslo RS:
- 257-9326
- Výrobní číslo:
- IRF8010PBF
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 12%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
327,52 Kč
(bez DPH)
396,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 565 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 65,504 Kč | 327,52 Kč | - |
| 50 - 120 | 57,008 Kč | 285,04 Kč | 12% |
| 125 - 245 | 53,106 Kč | 265,53 Kč | 18% |
| 250 - 495 | 49,844 Kč | 249,22 Kč | 23% |
| 500 + | 45,892 Kč | 229,46 Kč | 29% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9326
- Výrobní číslo:
- IRF8010PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 81nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 81nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRF je 100V jednoduchý N-kanálový výkonový mosfet v pouzdru TO 220. Řada IR Mosfet výkonových Mosfet využívá osvědčené křemíkové procesy a nabízí návrhářům širokou škálu zařízení pro podporu různých aplikací, jako jsou stejnosměrné motory, měniče, SMPS, osvětlení, spínače zátěže a také aplikace napájené baterií. Zařízení jsou k dispozici v různých pouzdrech pro povrchovou montáž a průchozí otvor s průmyslovými stopami pro snadné navrhování.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Průmyslové standardní zásuvkové pouzdro s průchozím otvorem
Vysoký jmenovitý proud
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 80 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 62 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 192 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 127 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 130 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 185 A Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4510PBF N-kanálový 62 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRF100B201 N-kanálový 192 A 100 V Infineon, TO-220