řada: HEXFET MOSFET IRF8010PBF Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon, TO-220
- Skladové číslo RS:
- 257-9326
- Výrobní číslo:
- IRF8010PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
160,06 Kč
(bez DPH)
193,675 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 565 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 32,012 Kč | 160,06 Kč |
| 50 - 120 | 27,862 Kč | 139,31 Kč |
| 125 - 245 | 25,984 Kč | 129,92 Kč |
| 250 - 495 | 24,354 Kč | 121,77 Kč |
| 500 + | 22,428 Kč | 112,14 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9326
- Výrobní číslo:
- IRF8010PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 81nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 81nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRF je 100V jednoduchý N-kanálový výkonový mosfet v pouzdru TO 220. Řada IR Mosfet výkonových Mosfet využívá osvědčené křemíkové procesy a nabízí návrhářům širokou škálu zařízení pro podporu různých aplikací, jako jsou stejnosměrné motory, měniče, SMPS, osvětlení, spínače zátěže a také aplikace napájené baterií. Zařízení jsou k dispozici v různých pouzdrech pro povrchovou montáž a průchozí otvor s průmyslovými stopami pro snadné navrhování.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Průmyslové standardní zásuvkové pouzdro s průchozím otvorem
Vysoký jmenovitý proud
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 192 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 127 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 130 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 62 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 185 A Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRF100B201 Typ N-kanálový 192 A 100 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4310ZPBF Typ N-kanálový 127 A 100 V Infineon, TO-220