řada: HEXFET MOSFET IRF6644TRPBF N-kanálový 57 A 100 V Infineon, SO-8 Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 257-9296
- Výrobní číslo:
- IRF6644TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
158,82 Kč
(bez DPH)
192,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 470 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 79,41 Kč | 158,82 Kč |
| 20 - 48 | 69,90 Kč | 139,80 Kč |
| 50 - 98 | 65,825 Kč | 131,65 Kč |
| 100 - 198 | 61,255 Kč | 122,51 Kč |
| 200 + | 43,595 Kč | 87,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9296
- Výrobní číslo:
- IRF6644TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 57A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 89W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 57A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 89W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí drain-zdroj 100 V, maximální nepřetržitý drain 57 A – IRF6644TRPBF
Tento MOSFET je vylepšovací zařízení s N-kanálem určené pro spínání a řízení napájení v elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je dodáván v kompaktním pouzdru SO-8 pro montáž na sestavy desek plošných spojů. Zařízení je vhodné tam, kde je vyžadováno zvládání vysokého proudu a skromný pokles dopředné diody, a splňuje environmentální omezení RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovité napětí 100 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Stálý proud 57 A podporuje aplikace s vysokým zatížením
• Rds(on) 13 mΩ snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 89 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
• Nabíjení hradla 28 nC umožňuje předvídat požadavky na pohon hradla
• Stálý proud 57 A podporuje aplikace s vysokým zatížením
• Rds(on) 13 mΩ snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 89 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
• Nabíjení hradla 28 nC umožňuje předvídat požadavky na pohon hradla
Aplikace
• Vhodné pro měniče DC/DC v napájecích zdrojích
• Ideální pro synchronní usměrňování ve spínaných napájecích zdrojích
• Používá se se stupni motorového pohonu vyžadujícími vysoký proud
• Lze použít pro spínání high-side nebo low-side
• Vhodné pro mezilehlé sběrnice a obvody řízení napájení
• Ideální pro synchronní usměrňování ve spínaných napájecích zdrojích
• Používá se se stupni motorového pohonu vyžadujícími vysoký proud
• Lze použít pro spínání high-side nebo low-side
• Vhodné pro mezilehlé sběrnice a obvody řízení napájení
Jaký je povolený rozsah provozních teplot okolí?
Funguje při minimální teplotě -55 °C až do maximální teploty 150 °C.
Jaké limity napětí hradla musí být při ovládání dodržovány?
Hradlo nesmí překročit ±20 V vzhledem ke zdroji, aby se zabránilo poškození.
Jak se chová vnitřní dioda při přímém vedení?
Vestavěná dioda vykazuje během vedení propustné napětí 1,3 V.
Jaké balení je třeba očekávat při montáži desky?
Dodává se v pouzdru SO-8 pro povrchovou montáž, který je vhodný pro standardní pájecí montáž.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 57 A 100 V Infineon, SO-8 Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 57 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 57 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 57 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF3710PBF N-kanálový 57 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFP3710PBF N-kanálový 57 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFP4332PBF N-kanálový 57 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 14 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení