řada: HEXFET MOSFET IRF6644TRPBF N-kanálový 57 A 100 V Infineon, SO-8 Vylepšení

Skladové číslo RS:: 257-9296
Výrobní číslo:: IRF6644TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET IRF6644TRPBF N-kanálový 57 A 100 V Infineon, SO-8 Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

158,82 Kč

(bez DPH)

192,18 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks	za jednotku	za balení*
2 - 18	79,41 Kč	158,82 Kč
20 - 48	69,90 Kč	139,80 Kč
50 - 98	65,825 Kč	131,65 Kč
100 - 198	61,255 Kč	122,51 Kč
200 +	43,595 Kč	87,19 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 257-9296
Výrobní číslo:: IRF6644TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	57A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Řada	HEXFET
	Typ balení	SO-8
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Maximální odpor zdroje Rds	13mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	28nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	89W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 57A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Řada HEXFET
	Typ balení SO-8
	Typ montáže Průchozí otvor
	Maximální odpor zdroje Rds 13mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 89W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IRF6644TRPBF

MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí drain-zdroj 100 V, maximální nepřetržitý drain 57 A – IRF6644TRPBF

Tento MOSFET je vylepšovací zařízení s N-kanálem určené pro spínání a řízení napájení v elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je dodáván v kompaktním pouzdru SO-8 pro montáž na sestavy desek plošných spojů. Zařízení je vhodné tam, kde je vyžadováno zvládání vysokého proudu a skromný pokles dopředné diody, a splňuje environmentální omezení RoHS.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovité napětí 100 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Stálý proud 57 A podporuje aplikace s vysokým zatížením
• Rds(on) 13 mΩ snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 89 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
• Nabíjení hradla 28 nC umožňuje předvídat požadavky na pohon hradla

Aplikace

• Vhodné pro měniče DC/DC v napájecích zdrojích
• Ideální pro synchronní usměrňování ve spínaných napájecích zdrojích
• Používá se se stupni motorového pohonu vyžadujícími vysoký proud
• Lze použít pro spínání high-side nebo low-side
• Vhodné pro mezilehlé sběrnice a obvody řízení napájení

Jaký je povolený rozsah provozních teplot okolí?

Funguje při minimální teplotě -55 °C až do maximální teploty 150 °C.

Jaké limity napětí hradla musí být při ovládání dodržovány?

Hradlo nesmí překročit ±20 V vzhledem ke zdroji, aby se zabránilo poškození.

Jak se chová vnitřní dioda při přímém vedení?

Vestavěná dioda vykazuje během vedení propustné napětí 1,3 V.

Jaké balení je třeba očekávat při montáži desky?

Dodává se v pouzdru SO-8 pro povrchovou montáž, který je vhodný pro standardní pájecí montáž.