řada: HEXFET MOSFET IRF5802TRPBF N-kanálový 900 mA 150 V Infineon, TSOP-6, počet kolíků: 6 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 257-9290
- Výrobní číslo:
- IRF5802TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
110,16 Kč
(bez DPH)
133,29 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 960 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,016 Kč | 110,16 Kč |
| 100 - 240 | 10,473 Kč | 104,73 Kč |
| 250 - 490 | 9,361 Kč | 93,61 Kč |
| 500 - 990 | 8,126 Kč | 81,26 Kč |
| 1000 + | 4,94 Kč | 49,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9290
- Výrobní číslo:
- IRF5802TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 900mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TSOP-6 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 150mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 900mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TSOP-6 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 150mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRF je součástí řady IR Mosfet výkonových Mosfet, která využívá osvědčené křemíkové procesy a nabízí návrhářům širokou škálu zařízení pro podporu různých aplikací, jako jsou stejnosměrné motory, měniče, SMPS, osvětlení, spínače zátěže a také aplikace napájené baterií.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 0.9 A 150 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový -3.4 A -40 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRF5803TRPBF Typ N-kanálový -3.4 A -40 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 8.2 A 30 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFTS8342TRPBF N-kanálový 8.2 A 30 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 8.3 A 30 V Infineon, TSOP-6
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 600 mA 200 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 5.8 A 30 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení