řada: HEXFET MOSFET IRF1404STRLPBF Typ N-kanálový 162 A 40 V Infineon, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 257-9274
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-515
- Výrobní číslo:
- IRF1404STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
95,34 Kč
(bez DPH)
115,36 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 724 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 47,67 Kč | 95,34 Kč |
| 20 - 48 | 44,955 Kč | 89,91 Kč |
| 50 - 98 | 42,485 Kč | 84,97 Kč |
| 100 - 198 | 39,15 Kč | 78,30 Kč |
| 200 + | 36,31 Kč | 72,62 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9274
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-515
- Výrobní číslo:
- IRF1404STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 162A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 162A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRF je 40V jednoduchý n-kanálový výkonový HEXFET mosfet v pouzdru D2 Pak.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Optimalizováno pro napětí hradla 10 V (tzv. normální úroveň)
Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Pouzdro s vysokým proudem (až 195 A, v závislosti na velikosti matrice)
Možnost pájení vlnou
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 162 A 40 V Infineon, TO-263
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 210 A 60 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 160 A 60 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 43 A 200 V Infineon, TO-263