řada: HEXFET MOSFET IRFR2407TRPBF Typ N-kanálový 42 A 85 V Infineon, TO-252
- Skladové číslo RS:
- 257-5841
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-537
- Výrobní číslo:
- IRFR2407TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
132,15 Kč
(bez DPH)
159,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 695 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,43 Kč | 132,15 Kč |
| 50 - 120 | 21,638 Kč | 108,19 Kč |
| 125 - 245 | 20,402 Kč | 102,01 Kč |
| 250 - 495 | 18,772 Kč | 93,86 Kč |
| 500 + | 11,906 Kč | 59,53 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5841
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-537
- Výrobní číslo:
- IRFR2407TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 42A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 85V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 26mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 74nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 85V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 26mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 74nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon IR MOSFET využívá osvědčené křemíkové procesy a nabízí návrhářům širokou škálu zařízení pro podporu různých aplikací, jako jsou stejnosměrné motory, měniče, SMPS, osvětlení, spínače zátěže a také aplikace napájené baterií. Zařízení jsou k dispozici v různých pouzdrech pro povrchovou montáž a průchozí otvory s průmyslovými rozměry pro snadnou konstrukci.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání níže <100 kHz
Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 42 A 85 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 42 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLR2905TRLPBF Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLR2905TRPBF Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR4104TRLPBF Typ N-kanálový 42 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET + Dioda IRFR1010ZTRPBF Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
