řada: HEXFET MOSFET IRFS4127TRLPBF Typ N-kanálový 72 A 200 V Infineon, TO-262
- Skladové číslo RS:
- 257-5836
- Výrobní číslo:
- IRFS4127TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
159,56 Kč
(bez DPH)
193,06 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 29. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 79,78 Kč | 159,56 Kč |
| 20 - 48 | 71,015 Kč | 142,03 Kč |
| 50 - 98 | 66,935 Kč | 133,87 Kč |
| 100 - 198 | 62,12 Kč | 124,24 Kč |
| 200 + | 57,55 Kč | 115,10 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5836
- Výrobní číslo:
- IRFS4127TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 72A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-262 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 18.6mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 72A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-262 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 18.6mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon MOSFET je vylepšená brána, lavinová a dynamická odolnost dV/dt a plně charakterizovaná kapacitní a lavinová SOA.
Vylepšená dioda těla dV/dt a dI/dt
Bezolovnatý
Vysoce účinná synchronní usměrňování v SMPS
Nepřerušitelný napájecí zdroj
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 72 A 200 V Infineon, TO-262
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 72 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFSL4127PBF Typ N-kanálový 72 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 49 A 55 V Infineon, TO-262
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 270 A 40 V Infineon, TO-262
- řada: HEXFET MOSFET IRF2804STRLPBF Typ N-kanálový 270 A 40 V Infineon, TO-262
- řada: HEXFET MOSFET IRFZ44NSTRLPBF Typ N-kanálový 49 A 55 V Infineon, TO-262
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový