řada: HEXFET MOSFET IRFS7434TRL7PP Typ N-kanálový 362 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 257-5815
- Výrobní číslo:
- IRFS7434TRL7PP
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
131,65 Kč
(bez DPH)
159,296 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 634 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 65,825 Kč | 131,65 Kč |
| 20 - 48 | 57,80 Kč | 115,60 Kč |
| 50 - 98 | 53,97 Kč | 107,94 Kč |
| 100 - 198 | 50,51 Kč | 101,02 Kč |
| 200 + | 46,685 Kč | 93,37 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5815
- Výrobní číslo:
- IRFS7434TRL7PP
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 362A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.7mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 210nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 245W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 362A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.7mΩ | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 210nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 245W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon MOSFET je vylepšená brána, lavinová a dynamická odolnost dV/dt a plně charakterizovaná kapacitní a lavinová SOA.
Plně charakterizovaná kapacita a lavinový SOA
Vylepšená dioda těla dV/dt a dI/dt
Kapacita bezolovnatá, v souladu s RoHS
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 362 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 190 A 100 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 295 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 260 A 75 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRLS4030TRL7PP Typ N-kanálový 190 A 100 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFS7437TRL7PP Typ N-kanálový 295 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFS3107TRL7PP Typ N-kanálový 260 A 75 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 240 A 55 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový