řada: HEXFET Fifth Generation MOSFET N-kanálový 1.9 A 55 V Infineon, SOT-223
- Skladové číslo RS:
- 257-5538
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-532
- Výrobní číslo:
- IRFL014NTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
15 920,00 Kč
(bez DPH)
19 262,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 6,368 Kč | 15 920,00 Kč |
| 5000 - 5000 | 5,859 Kč | 14 647,50 Kč |
| 7500 + | 5,731 Kč | 14 327,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5538
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-532
- Výrobní číslo:
- IRFL014NTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET Fifth Generation | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.16Ω | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.1W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | Lead-Free | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET Fifth Generation | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.16Ω | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.1W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení Lead-Free | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon je pátá generace HEXFET od společnosti International Rectifier, která využívá pokročilé techniky zpracování pro dosažení extrémně nízkých hodnot.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání níže <100 kHz
Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Související odkazy
- řada: HEXFET Fifth Generation MOSFET IRFL014NTRPBF N-kanálový 1.9 A 55 V Infineon, SOT-223
- řada: HEXFET MOSFET 5 A 55 V Infineon, SOT-223
- řada: HEXFET MOSFET IRLL024ZTRPBF 5 A 55 V Infineon, SOT-223
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 1.6 A 100 V Infineon, SOT-223
- řada: HEXFET MOSFET IRFL4310TRPBF N-kanálový 1.6 A 100 V Infineon, SOT-223
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 5.1 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 2.8 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 5.2 A 55 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení