řada: SIZ260DT MOSFET Typ N-kanálový 8.9 A 80 V Vishay, PowerPAIR 3 x 3S, počet kolíků: 8 kolíkový

Skladové číslo RS:: 256-7436
Výrobní číslo:: SIZ260DT-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SIZ260DT MOSFET Typ N-kanálový 8.9 A 80 V Vishay, PowerPAIR 3 x 3S, počet kolíků: 8 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

36 990,00 Kč

(bez DPH)

44 760,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 05. listopadu 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	12,33 Kč	36 990,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 256-7436
Výrobní číslo:: SIZ260DT-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	8.9A
	Maximální napětí na zdroji Vds	80V
	Řada	SIZ260DT
	Typ balení	PowerPAIR 3 x 3S
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.0247Ω
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	6.3nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	33W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Šířka	3.3mm
	Délka	3.3mm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.9A
	Maximální napětí na zdroji Vds 80V
	Řada SIZ260DT
	Typ balení PowerPAIR 3 x 3S
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.0247Ω
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.3nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 33W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Šířka 3.3mm
	Délka 3.3mm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIZ260DT-T1-GE3

MOSFET řady Vishay SIZ260DT, napětí zdroje vypouštění 80 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 8,9 A – SIZ260DT-T1-GE3

Tento MOSFET je tranzistor N-kanálu pro povrchovou montáž navržený pro spínání a správu napájení v průmyslových elektronických systémech. Pracuje při zvýšených teplotách a podporuje mírné nepřetržité proudy, díky čemuž je vhodný pro kompaktní sestavy, kde je vyžadována tepelná odolnost a zvládání napětí.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý odvod 80 V umožňuje použití v obvodech se středním napětím
• nepřetržitý proud 8,9 A umožňuje trvalé ovládání zátěže
• 0,0247 Ω Rds(on) snižuje ztráty při vedení
• typické náboje hradla 6,3 nC podporuje rychlé přepínání
• Rozptýlení výkonu 33 W umožňuje vyšší manipulaci s výkonem
• Tolerance hradla ±20 V umožňuje různé rozsahy pohonu hradla

Aplikace

• Vhodné pro měniče DC/DC v automatizačních zařízeních
• Ideální pro stupně motorů a pohonů v průmyslových pohonech
• Používá se pro spínání napájení v řídicích modulech
• Lze použít pro přepínání zátěže v řízení akumulátoru
• Vhodné pro kompaktní napájecí jednotky SMD v elektrických systémech

Jaké extrémní teploty dokáže během provozu odolat?

Je určen pro provoz do -55 °C a až do +150 °C, což umožňuje použití v prostředích s širokými tepelnými kolísáními.

Jak tvar pouzdra ovlivňuje uspořádání PCB?

Pouzdro PowerPAIR 3x3S SMD s osmi kolíky soustřeďuje napájecí a signálové kolíky pro krátké tepelné cesty a jednoduchou konstrukci s tepelnou podložkou.

Je toto zařízení vhodné pro automobilové aplikace?

Není specifikováno, že splňuje normy pro automobilový průmysl, takže by se neměl vybírat tam, kde je vyžadováno formální schválení pro automobilový průmysl.

Jaké jsou výhody počtu kolíků zařízení pro konstrukci obvodů?

Osm pinů odděluje připojení hradla a zdroje od napájecích cest, což zjednodušuje směrování pohonu hradla a řízení teploty.