MOSFET SI7465DP-T1-E3 Typ P-kanálový 3.2 A 60 V Vishay, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 256-7389
- Výrobní číslo:
- SI7465DP-T1-E3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
143,46 Kč
(bez DPH)
173,585 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 880 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 28,692 Kč | 143,46 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 256-7389
- Výrobní číslo:
- SI7465DP-T1-E3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | PowerPAK SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.024Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.12mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení PowerPAK SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.024Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.12mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET P-kanálový 3,2 A (Ta) 1,5 W (Ta) pro povrchovou montáž společnosti Vishay Semiconductor má pouzdro s nízkým profilem.
TrenchFET Power Mosfet
Nový nízký tepelný odpor powerPAK
Pouzdro s nízkým profilem 1,07 mm
Související odkazy
- MOSFET Typ P-kanálový 3.2 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- MOSFET SI7489DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 28 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SI7139DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SI7149ADP-T1-GE3 Typ P-kanálový 50 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SIR5205DP-T1-UE3 P-kanál-kanálový -153.2 A -20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SIR5203DP-T1-UE3 P-kanál-kanálový -267 A -20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SIR5207DP-T1-UE3 P-kanál-kanálový -136.7 A -20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- Vishay IGBT SI7489DP-T1-E3 Typ P-kanálový počet kolíků: 8 kolíkový Povrch