řada: IRFPG30 Výkonový MOSFET IRFPG30PBF N-kanálový 3.1 A 1 kV Vishay, TO-247AC, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 256-7301
Výrobní číslo:: IRFPG30PBF
Výrobce:: Vishay

řada: IRFPG30 Výkonový MOSFET IRFPG30PBF N-kanálový 3.1 A 1 kV Vishay, TO-247AC, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

115,79 Kč

(bez DPH)

140,11 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

404 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
2 +	57,895 Kč	115,79 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 256-7301
Výrobní číslo:: IRFPG30PBF
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	3.1A
	Maximální napětí na zdroji Vds	1kV
	Řada	IRFPG30
	Typ balení	TO-247AC
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	5Ω
	Maximální ztrátový výkon Pd	125W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1.8V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Výška	5.21mm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.1A
	Maximální napětí na zdroji Vds 1kV
	Řada IRFPG30
	Typ balení TO-247AC
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 5Ω
	Maximální ztrátový výkon Pd 125W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1.8V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Výška 5.21mm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady IRFPG30, maximální zdrojové napětí 1000 V, maximální ztrátový výkon 125 W – IRFPG30PBF

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro spínání a převod výkonu v náročných prostředích. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je dodáván v pouzdru s průchozím otvorem pro robustní montáž a tepelnou manipulaci, díky čemuž je vhodný pro průmyslové a vysokonapěťové aplikace, kde je vyžadováno řízené spínání a rozptyl tepla.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota odtoku-zdroje 1000 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Stálý proud 3.1 A podporuje středně vysoké zatížení
• Rozptýlení 125 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem při zátěži
• Maximální hodnota RDS(on) 5 Ω omezuje ztráty při vedení za jmenovitých podmínek
• Typický náboj hradla 80 nC nabízí předvídatelnou spínací energii
• Tolerance hradla 20 V chrání před nadměrným ovládáním hradla

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Používá se v řídicích stupních průmyslového motorového pohonu
• Ideální pro spínání v indukčních topných systémech
• Lze použít pro přepěťové nebo svorkové obvody na straně vedení
• Používá se pro vzdělávací a prototypové návrhy napájení průchozím otvorem

Jaký způsob montáže vyžaduje pro instalaci?

Dodává se v pouzdru s průchozím otvorem TO-247AC určeném pro šroubovanou nebo pájenou montáž na PCB a rozhraní chladiče pro efektivní tepelnou spojku.

Jak se chová při extrémních teplotách?

Zařízení je určeno pro provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C, což umožňuje použití v prostředích s širokými kolísání okolní a spojovací teploty.

Jaká omezení pohonu hradla by měli konstruktéři dodržovat?

Hradlo musí být poháněno maximálně v rozsahu ±20 V, aby nedošlo k překročení limitů napětí zdroje hradla a aby bylo zachováno spolehlivé spínání.

Existují nějaká materiálová nebo environmentální omezení?

Splňuje požadavky RoHS, což omezuje některé nebezpečné látky ve své konstrukci.