MOSFET DMN31D5UDAQ-7B N-kanálový 400 mA 30 V, X2-DFN0806-6 DiodesZetex
- Skladové číslo RS:
- 254-8612
- Výrobní číslo:
- DMN31D5UDAQ-7B
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
111,18 Kč
(bez DPH)
134,53 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 925 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | 4,447 Kč | 111,18 Kč |
| 500 - 975 | 1,63 Kč | 40,75 Kč |
| 1000 - 2475 | 1,156 Kč | 28,90 Kč |
| 2500 - 4975 | 1,126 Kč | 28,15 Kč |
| 5000 + | 1,106 Kč | 27,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 254-8612
- Výrobní číslo:
- DMN31D5UDAQ-7B
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 400mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | X2-DFN0806-6 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.37W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.38nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 400mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení X2-DFN0806-6 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.37W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.38nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
DiodeZetex MOSFET s vylepšeným režimem byl navržen tak, aby minimalizoval odpor v zapnutém stavu a zároveň zachoval vynikající spínací výkon, díky čemuž je ideální pro aplikace řízení napájení s vysokou účinností. Je použitelný v univerzálním rozhraní SW
Nízký odpor při zapnutí, velmi nízké prahové napětí brány, ochrana proti ESD, brána bez obsahu halogenů a antimonu
Související odkazy
- MOSFET N-kanálový 30 V, X2-DFN0806-6 DiodesZetex
- MOSFET DMC31D5UDAQ-7B Typ P X2-DFN0806-6 DiodesZetex
- MOSFET DMC2991UDA-7B Typ N X2-DFN0806-6 DiodesZetex
- MOSFET DMP22D5UDA-7B Typ P-kanálový 20 V, X2-DFN0806-6 DiodesZetex
- MOSFET Typ P X2-DFN0806-6 DiodesZetex
- MOSFET Typ N X2-DFN0806-6 DiodesZetex
- MOSFET Typ P-kanálový 20 V, X2-DFN0806-6 DiodesZetex
- MOSFET DMN26D0UFB4-7B N-kanálový 180 mA 20 V DiodesZetex