Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	DiodesZetex
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální napětí na zdroji Vds	20V
	Typ balení	X4-DSN1111-4
	Maximální ztrátový výkon Pd	1W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	5.6nC
	Přímé napětí Vf	1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	12 V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka DiodesZetex
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální napětí na zdroji Vds 20V
	Typ balení X4-DSN1111-4
	Maximální ztrátový výkon Pd 1W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.6nC
	Přímé napětí Vf 1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 12 V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - DMN2030UCA4-7

DiodeZetex MOSFET s vylepšeným režimem byl navržen tak, aby minimalizoval odpor v zapnutém stavu a zároveň zachoval vynikající spínací výkon, díky čemuž je ideální pro aplikace řízení napájení s vysokou účinností. Uplatňuje se v oblasti ochrany baterií a baterií

Použití v zátěžových spínačích s vysokou spínací rychlostí bez obsahu halogenů a antimonu

MOSFET DMN2030UCA4-7 Typ N-kanálový 20 V, X4-DSN1111-4 DiodesZetex

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS