AEC-Q101 MOSFET SQS160ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 141 A -40 V Vishay, PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 252-0322
- Výrobní číslo:
- SQS160ELNW-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 252-0322
- Výrobní číslo:
- SQS160ELNW-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 141A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -40V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.01mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 192W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 94nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.15mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 141A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -40V | ||
Typ balení PowerPAK 1212-8SLW | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.01mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 192W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 94nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.15mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Automobilové tranzistory MOSFET Vishay jsou vyráběny na vyhrazeném procesním toku a jsou stále robustní. Jmenovitá maximální teplota spojení 175 °C, řada SQ Vishay Siliconix s certifikací AEC-Q101 nabízí technologie N- a P-kanálového tranzistoru FET s nízkým odporem při zapnutí v pouzdrech SO bez obsahu olova (Pb) a halogenů.
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET Gen IV s certifikací AEC-Q101, 100 % Rg a testován podle normy UIS, zvlhčitelné boční svorky, nízký tepelný odpor s profilem 0,75 mm
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 141 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET SQS142ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 110 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET SQS141ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 101 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET SQS140ENW-T1_GE3 Typ N-kanálový 214 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků:
- AEC-Q101 PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 110 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení