AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 39.6 A 30 V Vishay, Powerpak SO-8DC, počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

104 775,00 Kč

(bez DPH)

126 777,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 27. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +34,925 Kč104 775,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
252-0261
Výrobní číslo:
SIDR610EP-T1-RE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

39.6A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

Powerpak SO-8DC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.0042mΩ

Režim kanálu

Vyčerpání

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

46.1nC

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

5.15 mm

Délka

6.15mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

AEC-Q101

Řada produktů Vishay Siliconix MOSFET zahrnuje širokou škálu pokročilých technologií. MOSFET jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. Efekt pole znamená, že jsou řízeny napětím. N-kanálové tranzistory MOSFET obsahují další elektrony, které se mohou volně pohybovat. Jedná se o oblíbenější typ kanálu. N-kanálové tranzistory MOSFET fungují, když je na svorku hradla aplikován kladný náboj.

Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET Gen V s velmi nízkou hodnotou RDS – Qg (FOM) Nastavený na nejnižší hodnotu RDS – Qoss FOM 100 % Rg a testován podle normy UIS

Související odkazy