AEC-Q101, řada: BSS MOSFET Typ N-kanálový 0.17 A 100 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- Skladové číslo RS:
- 250-0551P
- Výrobní číslo:
- BSS169H6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (100 jednotky/-ek, dodává se na souvislé pásce)*
884,30 Kč
(bez DPH)
1 070,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 7 010 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 100 - 240 | 8,843 Kč |
| 250 - 490 | 8,62 Kč |
| 500 - 990 | 8,102 Kč |
| 1000 + | 6,521 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 250-0551P
- Výrobní číslo:
- BSS169H6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 0.17A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | BSS | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 12000mΩ | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 0.17A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada BSS | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 12000mΩ | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon dělá N-kanál deplece režim malý signál MOSFET tranzistor široce používán v high-přepínání aplikací. Je lavinový a bezhalogenový. Jedná se o SIPMOS Small-Signal-Transistor, dv /dt jmenovité a k dispozici s v GS(th) indikátor na cívce.
VDS je 100 v, RDS (on), max. 12 W a IDSS, min je 0.09 A
Maximální ztráta výkonu je 360 mW