AEC-Q101, řada: BSS MOSFET Typ P-kanálový 0.9 A 100 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

7 647,00 Kč

(bez DPH)

9 252,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 6 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 - 30002,549 Kč7 647,00 Kč
6000 - 60002,422 Kč7 266,00 Kč
9000 +2,269 Kč6 807,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
250-0550
Výrobní číslo:
BSS169H6327XTSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

0.9A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

SOT-23

Řada

BSS

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

3.5mΩ

Režim kanálu

Vyčerpání

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

81W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

80nC

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Infineon dělá N-kanál deplece režim malý signál MOSFET tranzistor široce používán v high-přepínání aplikací. Je lavinový a bezhalogenový. Jedná se o SIPMOS Small-Signal-Transistor, dv /dt jmenovité a k dispozici s v GS(th) indikátor na cívce.

VDS je 100 v, RDS (on), max. 12 W a IDSS, min je 0.09 A

Maximální ztráta výkonu je 360 mW

Související odkazy

Recently viewed