AEC-Q101, řada: BSP MOSFET BSP125H6433XTMA1 N-kanálový 120 mA 600 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 250-0527
Výrobní číslo:: BSP125H6433XTMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: BSP MOSFET BSP125H6433XTMA1 N-kanálový 120 mA 600 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

18 304,00 Kč

(bez DPH)

22 148,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 24. února 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
4000 +	4,576 Kč	18 304,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 250-0527
Výrobní číslo:: BSP125H6433XTMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	120mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	600V
	Řada	BSP
	Typ balení	SOT-223
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	45000mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Přímé napětí Vf	1V
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 600V
	Řada BSP
	Typ balení SOT-223
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 45000mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Přímé napětí Vf 1V
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Maximální provozní teplota +150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - BSP125H6433XTMA1

Tranzistor MOSFET Infineon řady BSP, maximální napětí drain-zdroj 600 V, maximální ztrátový výkon 81 W – BSP125H6433XTMA1

Tento MOSFET je N-kanálové zařízení pro povrchovou montáž s režimem zesílení určené pro vysokonapěťové spínání a úkoly rozptýlení výkonu v kompaktních elektronických sestavách. Pracuje v širokém teplotním rozsahu, který je vhodný pro náročné podmínky, a používá tříkolíkové pouzdro SOT-223 pro snadné umístění PCB. Součást je v souladu s RoHS a splňuje normy kvalifikace pro automobilový průmysl pro použití v regulovaném prostředí vozidel.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 600 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Rozptýlení výkonu 81 W podporuje trvalé tepelné zatížení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 0,12 A je vhodný pro řídicí cesty s nízkým proudem
• Odpor při zapnutí 45,000 mΩ minimalizuje ztráty při vedení
• Nabíjení hradla 80 nC při napětí 20 V zjednodušuje konstrukci pohonu hradla

Aplikace

• Vhodné pro spínací stupně průmyslových napájecích zdrojů
• Ideální pro řídicí obvody v automobilovém průmyslu vyžadující kvalifikaci
• Používá se s kompaktními převodníky vyžadujícími montáž SOT-223
• Lze použít pro vysokoteplotní elektronické moduly
• Vhodné pro prototypy a výrobní desky pro povrchovou montáž

Jaké limity napětí hradla je třeba dodržovat?

Napětí zdroje brány nesmí překročit 20 V, aby se zabránilo poškození oblasti brány.

Jaký teplotní rozsah lze během provozu očekávat?

Zařízení je určeno pro nepřetržité použití v rozsahu -55 °C až +150 °C pro širokou škálu podmínek prostředí.

Kolik kolíků a jaký typ pouzdra by měli konstruktéři desek plošných spojů povolit?

Používá tříkolíkové pouzdro SOT-223 vhodné pro montáž na povrch a typické pájecí procesy.

Jaké normy nebo schválení se vztahují na tuto součást?

Splňuje směrnice RoHS a splňuje kvalifikaci AEC-Q101 pro automobilový průmysl.