AEC-Q101, řada: IAUZ MOSFET N-kanálový 30 A 60 V Infineon, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 249-6897
Výrobní číslo:: IAUZ30N06S5L140ATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IAUZ MOSFET N-kanálový 30 A 60 V Infineon, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

29 915,00 Kč

(bez DPH)

36 195,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 21. června 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	5,983 Kč	29 915,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 249-6897
Výrobní číslo:: IAUZ30N06S5L140ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	30A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	IAUZ
	Typ balení	PQFN
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	14mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada IAUZ
	Typ balení PQFN
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 14mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IAUZ30N06S5L140ATMA1

MOSFET Infineon řady IAUZ, maximální napětí vypouštění-zdroje 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 30 A – IAUZ30N06S5L140ATMA1

Tento MOSFET je vylepšovací zařízení N-kanálu navržené pro vysokoproudové spínání v kompaktních sestavách pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém tepelném rozsahu a je navržen pro náročná prostředí, kde je vyžadována nízká ztráta vedení a velký výkon.

Charakteristiky a výhody:

• Rds(on) 14 mΩ snižuje ztráty při vedení pro efektivní dodávku energie
• Rozptýlení výkonu 81 W podporuje trvale vysokovýkonový provoz
• Typický náboj hradla 80 nC umožňuje řízené spínání s mírnou pohonnou energií
• Tolerance hradla 20 V umožňuje použití s obvody hradla s vyšším napětím
• Pouzdro PQFN zlepšuje tepelnou cestu pro sestavy pro povrchovou montáž

Aplikace

• Vhodné pro automobilové rozvodné obvody 60 V
• Ideální pro vysokoproudé měniče DC/DC ve vozidlech
• Používá se se stupni pohonu motoru v automobilové elektronice
• Lze použít pro spínané napájecí zdroje vyžadující kompaktní montáž
• Vhodné pro vysokoteplotní řídicí elektroniku v náročných podmínkách

V jakém teplotním rozsahu dokáže vydržet v provozu?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C.

Jak pouzdro podporuje řízení teploty?

Tvar PQFN poskytuje přímou tepelnou cestu k desce plošných spojů pro lepší přenos tepla.

Jaké úvahy ohledně pohonu hradla platí pro spínání?

Očekává se typický náboj hradla 80 nC při specifikovaném napětí hradla, což vyžaduje ovladač schopný zdroje tohoto náboje pro rychlé přechody.

Jaká metoda montáže je určena pro instalaci?

Je navržen pro montáž na povrch na sestavy desek plošných spojů.