AEC-Q101, řada: OptiMOS-TM6 Výkonový MOSFET IAUC60N04S6N031HATMA1 Typ N-kanálový 60 A 40 V, SuperSO8 5 x 6, počet
- Skladové číslo RS:
- 249-6892
- Výrobní číslo:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
121,52 Kč
(bez DPH)
147,04 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 314 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 60,76 Kč | 121,52 Kč |
| 20 - 48 | 51,005 Kč | 102,01 Kč |
| 50 - 98 | 47,425 Kč | 94,85 Kč |
| 100 - 198 | 44,46 Kč | 88,92 Kč |
| 200 + | 40,88 Kč | 81,76 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 249-6892
- Výrobní číslo:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | OptiMOS-TM6 | |
| Typ balení | SuperSO8 5 x 6 | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 75W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Konfigurace tranzistoru | Poloviční můstek | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada OptiMOS-TM6 | ||
Typ balení SuperSO8 5 x 6 | ||
Počet kolíků 8 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 75W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 23nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Konfigurace tranzistoru Poloviční můstek | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptMOS je výkonový MOSFET pro automobilové aplikace. Provozní kanál je N. Je certifikace AEC Q101. MSL1 až 260°C Peak přetavení. Green Product (v souladu s RoHS) a to je 100% Avalanche testován.
Provozní teplota 175 °C