AEC-Q101, řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 230 A 75 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 249-6870P
- Výrobní číslo:
- AUIRF6215
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 249-6870P
- Výrobní číslo:
- AUIRF6215
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 230A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 230A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon HEXFET využívají nejnovější techniky zpracování k dosažení nízkého odporu na křemíkové ploše. Tato výhoda v kombinaci s vysokou spínací rychlostí a robustní konstrukce zařízení, které HEXFET výkonové tranzistory MOSFET jsou dobře známé, poskytuje návrháři mimořádně efektivní a spolehlivé zařízení pro použití v automobilovém průmyslu a širokou škálu dalších aplikací.
Pokročilá technologie plánovače
Nízký odpor při zapnutí
Dynamické hodnocení DV/DT
Provozní teplota 175 C.
Rychlé spínání