MOSFET Typ N-kanálový 100 V, UDFN-2020, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 246-6786
- Výrobní číslo:
- DMN10H6D2LFDB-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 246-6786
- Výrobní číslo:
- DMN10H6D2LFDB-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | UDFN-2020 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.7W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení UDFN-2020 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.7W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
DiodesZetex vytváří MOSFET s režimem zesílení kanálu N, který je navržen tak, aby minimalizoval odpor ve stavu (RDS(ON)), a přitom udržoval vynikající spínací výkon, takže je ideální pro aplikace řízení spotřeby s vysokou účinností. Je to zelené zařízení a, zcela olovo, halogen a antimon zdarma. Tento MOSFET je dodáván v balení u-DFN2020-6. Nabízí rychlé přepínání a vysokou účinnost. Nabízí ESD hradlo (do 1kV).
Maximální výpusť na zdrojové napětí je 100 v maximální hradlo na zdrojové napětí je ±20 v nabízí nízké vstupní prahové napětí poskytuje nízkou vstupní kapacitu
Související odkazy
- MOSFET DMN10H6D2LFDB-7 Typ N-kanálový 100 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- MOSFET Typ N-kanálový 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- MOSFET Typ P-kanálový 20 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- MOSFET Typ N-kanálový 20 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- MOSFET DMP2110UFDB-7 Typ P-kanálový 20 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- MOSFET DMN3055LFDBQ-7 Typ N-kanálový 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- MOSFET DMN2053UFDB-7 Typ N-kanálový 20 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- MOSFET Typ N-kanálový 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální