řada: IMW MOSFET Typ N-kanálový 52 A 75 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 244-2920
- Výrobní číslo:
- IMW120R030M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 tuba po 240 kusech)*
47 433,12 Kč
(bez DPH)
57 394,08 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 240 + | 197,638 Kč | 47 433,12 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-2920
- Výrobní číslo:
- IMW120R030M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 52A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Řada | IMW | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 52A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Řada IMW | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon IMW120R030M1HXKSA1 ve srovnání s tradičními spínači na bázi křemíku (si), jako jsou IGBT a MOSFET, nabízí řadu výhod. Patří mezi ně nejnižší úrovně nabití hradla a kapacity zařízení pozorované ve spínačích 1200 v, žádné ztráty zpětného zotavení interní diody těla odolné vůči komutaci, teplotně nezávislé nízké ztráty spínání a bezprahové vlastnosti ve stavu.
Velmi nízké ztráty při spínání
Bez prahové hodnoty na charakteristice stavu
Široký rozsah napětí hradla
Referenční prahové napětí hradla, VGS(th) = 4,5V
0V napětí na vypínači hradla pro snadné a jednoduché ovládání hradla
Plně ovladatelný DV/dt
Robustní tělní dioda pro tvrdou komutaci
Ztráty při vypínání nezávislé na teplotě
Související odkazy
- řada: IMW MOSFET IMW120R030M1HXKSA1 Typ N-kanálový 52 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IMW MOSFET Typ N-kanálový 52 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IMW MOSFET IMW120R140M1HXKSA1 Typ N-kanálový 52 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IMW MOSFET IMW120R040M1HXKSA1 Typ N-kanálový 52 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IMW MOSFET IMW120R014M1HXKSA1 Typ N-kanálový 52 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IMW MOSFET IMW120R020M1HXKSA1 Typ N-kanálový 52 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IMW MOSFET IMW120R007M1HXKSA1 Typ N-kanálový 52 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IMW MOSFET Typ N-kanálový 52 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový P