AEC-Q101, řada: IPN MOSFET IPN95R3K7P7ATMA1 Typ N-kanálový 6.1 A 950 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 244-2273
- Výrobní číslo:
- IPN95R3K7P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
69,41 Kč
(bez DPH)
83,985 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 235 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,882 Kč | 69,41 Kč |
| 50 - 120 | 12,202 Kč | 61,01 Kč |
| 125 - 245 | 11,312 Kč | 56,56 Kč |
| 250 - 495 | 10,572 Kč | 52,86 Kč |
| 500 + | 9,88 Kč | 49,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-2273
- Výrobní číslo:
- IPN95R3K7P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 950V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | IPN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 2mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 950V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada IPN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 2mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Tranzistory MOSFET Infineon Technologies CoolMOS™ P7 poskytují nejlepší poměr cena/výkon ve své třídě a vynikající snadné použití pro řešení problémů v různých aplikacích. Tranzistory MOSFET P7 jsou plně optimalizovány pro topologie s pevným a měkkým spínáním.
Nejlepší ve své třídě FOM RDS(ON)*(Eoss) energie rozptýlené COSS(výstupní kapacita); Snížená kapacita hradla (QG), vstupní kapacita a výstupní kapacita
Nejlepší ve své třídě SOT-223 RDS (ON)
Nejlepší-in-classV( GS)th 3V a nejmenší v(GS)th variace ±0.5V
Integrovaná ochrana proti elektrostatickému výboji Zenerovy diody
Nejlepší kvalita a spolehlivost Cool MOS™ ve své třídě
Plně optimalizované portfolio
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPN MOSFET Typ N-kanálový 6.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPN MOSFET Typ N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPN MOSFET Typ N-kanálový 4 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPN MOSFET Typ N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPN MOSFET Typ N-kanálový 4.5 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení